美国商务部长设目标:2030年美国芯片在全球市场份额提高到20%
2 月 27 日消息,美国商务部长吉娜・雷蒙多(Gina Raimondo)昨日(2 月 26 日)在华盛顿战略与国际研究中心发表演讲,宣布加大对原材料供应到封装的完整生产线 年让美国制造的芯片出货量占比达到全球 20%。
雷蒙多表示在美国政府的牵头推动以及半导体行业公司的踊跃参与下,到 2030 年美国在全球先进光刻技术芯片生产服务市场的份额将达到 20%。
雷蒙多表示为了推进这个目标,将全面扶持和发展从半导体开发到硅片加工封装的全流程产业链,并计划建立多家芯片测试和封装企业。
雷蒙多表示目前也遇到了诸多挑战,该机构收到了 600 家公司提交了补贴申请,仅在先进光刻技术领域,各公司的需求估计就达 700 亿美元,而美国政府此前提供的补贴总额不超过 280 亿美元。
到目前为止,只有三家企业获得了补贴,其中蕞大的一家是格芯(GlobalFoundries),该公司将获得 15 亿美元用于在纽约州发展企业。
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半导体基础知识部分 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。 N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。 6. 杂质半导体的特性 载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。 体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为
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